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• Next-generation 3D DRAM approaches reality as scientists achieve 120-layer stack using advanced deposition techniques

（首圖來源 ：shutterstock）

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真正的 3D DRAM 則是要像 3D NAND Flash 一樣，再透過 TSV（矽穿孔） 互連組合 ，【代妈费用多少】

雖然 HBM（高頻寬記憶體）也經常被稱為 3D 記憶體 ，這項成果證明 3D DRAM 在材料層級具備可行性 。未來勢必要藉由「垂直堆疊」來提升密度
，視為推動 3D DRAM 的重要突破。

比利時 imec（校際微電子中心） 與根特大學（Ghent University） 研究團隊宣布，在 300 毫米矽晶圓上成功外延生長 120 層 Si/SiGe 疊層結構，

研究團隊指出，漏電問題加劇 ，【代妈应聘选哪家】